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消息稱三星電子考慮在HBM4上采用1c nm內存,提升能效競爭力

發布時間:2024-05-17 23:03:19來源: 15210273549

家 5 月 17 日消息,韓媒 ZDNet Korea 今日報道稱,三星電子考慮在 HBM4 內存上使用 1c nm 制程(第六代 10+nm 級)DRAM 裸片,以提升其產品在能效等方面的競爭力。

三星電子代表今年早些時候在行業會議 Memcon 2024 上表示,該企業計劃在今年底前實現 1c nm 制程的量產;而在 HBM4 方面,三星電子預計在明年完成該新型 AI 內存的開發,2026 年實現量產。

在目前已量產的 HBM3E 上,三星并未像競爭對手 SK 海力士、美光那樣采用 1b nm 制程 DRAM 裸片,而是仍使用 1a nm 顆粒,在能耗方面處于劣勢。

這被消息人士認為是三星內部考慮在 HBM4 上就導入 1c nm DRAM 顆粒的重要誘因。

IT之家獲悉,同一制程節點的首批 DRAM 產品一般是面向桌面和移動端市場的標準 DDR / LPDDR 產品,等到成熟后才會在高價值低良率的 HBM 中引入新制程

消息人士還稱,三星電子 HBM 業務相關高管和工作組也計劃同步將 HBM4 的開發時間周期縮短,以跟上 AI 處理器廠商的需求。但這必然會帶來更大的良率風險

目前 HBM 內存領域的領軍企業 SK 海力士已表達了計劃在 HBM4E 上導入 1c nm 制程顆粒的意向,但尚未正式確認 HBM4 內存具體使用哪種制程的 DRAM。

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