界2024年5月11日消息，據國家知識產權局公告，三星電子株式會社申請一項名為“用于CMOS圖像傳感器的像素單元“，公開號CN118016682A，申請日期為2023年11月。
專利摘要顯示，一種用于CMOS圖像傳感器的像素單元包括將像素晶體管區(qū)域與像素光電二極管區(qū)域隔離的隔離結構。在圖像傳感器的前側處，隔離結構包括第一淺溝槽隔離(STI)結構、第二STI結構、在第一STI結構和第二STI結構之間的半導體區(qū)域以及由p型半導體形成的注入區(qū)域，該注入區(qū)域與半導體區(qū)域接觸并朝向圖像傳感器的背側延伸。半導體區(qū)域由第一類型半導體形成。在圖像傳感器的背側處，隔離結構包括從背側朝向前側延伸并接觸注入區(qū)域的溝槽隔離結構。