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三星計劃2024Q2開始量產HBM3E 12H DRAM,以及1βnm 32Gb DDR5產品

發布時間:2024-04-30 23:07:33來源: 15210273549

,三星公布了截至2024年3月31日的第一季度財報。顯示其存儲器業務通過滿足高附加值產品的市場需求終于實現了盈利,帶動了整個DS部門的營收和利潤增長,讓半導體業務自2022年以來的首次恢復盈利。

三星在財報中表示,其專注于HBM、DDR5、服務器SSD和UFS 4.0等高附加值產品,伴隨產品的平均售價(ASP)提升,從而實現了業務的增長。在接下來的第二季度里,服務器和存儲方面對人工智能(AI)的需求將保持穩定,主要受到生成式AI的驅動,而對DDR5及高密度SSD的需求仍然強勁,同時中國的移動設備制造商對DRAM和NAND閃存的需求也很高。

三星已經在本月量產了HBM3E 8H DRAM,以及第9代V-NAND技術的產品,并計劃在第二季度內量產HBM3E 12H DRAM和基于1β (b) nm(第五代10nm級別)32Gb DDR5打造的128GB DRAM產品,比原計劃里的下半年提前了。按照三星的說法,這是為了更好地應對生成式AI日益增長的需求,所以選擇加快了HBM和1β (b) nm 32Gb DDR5的項目進度。

近期企業級QLC SSD的需求攀升,而目前市場上可以提供經驗證的企業級QLC產品的廠家只有Solidigm和三星。為此三星已確認,第三季度會量產QLC版本的第9代V-NAND產品,以盡可能地滿足企業用戶的使用需求。

不少人還關心三星的晶圓代工業務,但三星稱,由于市場需求疲軟和持續的庫存調整,復蘇的速度相對比較遲緩。不過三星表示,目前晶圓廠的運營效率已經有所提升,新一代2/3nm制程工藝的開發也較為順利,另外4nm制程工藝的良品率已日趨穩定。

三星計劃下半年量產第二代3nm制程工藝,也就是SF3,使用“第二代多橋-通道場效應晶體管(MBCFET)”,之前已在試產。

 

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